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还在为功率器件散热而烦恼不妨试下CVD [复制链接]

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近年来,氮化镓(GaN)具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,被广泛应用于高频、大功率微波、毫米波器件等,与此同时,各领域对GaN基微波功率器件的功率、频率、效率及可靠性等方面也提出更高的要求,更大功率、更高效率发展的GaNHEMT器件的低热耗散能力已成为制约器件性能提升的重要因素,而热耗散能力又主要由器件的衬底材料决定。

与目前常用的SiC基GaN微波功率器件相比,金刚石基GaN功率器件具有更高的散热能力,因此被寄予重望,从实现更小尺寸和更高功率密度的功率器件,到促进未来射频功率器件和相关系统的小型化、集成化以及高功率应用,掀起了金刚石的研究热潮。

金刚石,新一代功率器件的利器

金刚石是目前自然界具有最高热导率的衬底材料(Si、SiC和金刚石的导热率分别为,和~W·m-1·K-1),有望在一个“高热”器件中实现近乎完美的热耗散,因此得到广泛

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